Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...
Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...
Patentix株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功しました。MOSFETは基本的なパワーデバイスの1つであり、今回の ...
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）と通常のトランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ）との間には、いくつかの重要な違いがあります。 動作原理: バイポーラトランジスタはキャリア注入によって動作します。つまり、電流を流すためには ...
金沢大学の小林和樹大学院生と徳田規夫教授、産業技術総合研究所の牧野俊晴研究チーム長らは、ダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）の電気抵抗を1ケタ下げることに成功した。金属酸化膜とダイヤモンド半導体層の界面 ...
金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、現代の電子機器において重要な役割を果たしています。高い効率性、信頼性、および多用途性により、多くのアプリケーション、特にパワーエレクトロニクスで不可欠なデバイスです。この記事では ...
ローム株式会社（本社：京都市）は、照明の小型電源やポンプ、モーターなどに最適で、小型SOT-223-3パッケージ（6.50mm×7.00mm×1.66mm）の600V耐圧Super Junction MOSFET(*1)「R6004END4 / R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4」の5機種を開発しました。 新製品は、従来のTO-252 ...
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