東芝は6月4日、絶縁基板に「樹脂」を用いたSiCパワー半導体モジュールにおいて、単位面積あたりの電力処理能力を示す「電力密度」を向上可能な樹脂絶縁型「SiCパワー半導体モジュール(SiCパワーモジュール)」を開発したことを発表した。 SiCパワー ...

ミネベアミツミの連結子会社であるミネベアパワーデバイスとサンケン電気は、民生品および産業品向けインテリジェントパワーモジュール市場において、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで合意した。 脱炭素社会への貢献 ...

レゾナックは1月17日、自動車の電動化に欠かせない「パワー半導体」と、これをパッケージした「パワーモジュール」の材料開発を強化するため、栃木・小山事業所内に「パワーモジュールインテグレーションセンター」（PMiC）を本格始動させると発表した。

ミネベアミツミは1月27日、同社の連結子会社ミネベアパワーデバイスとサンケン電気が白物家電を中心とした民生品ならびに産業品向けIPM(インテリジェントパワーモジュール)について、後工程の生産協業および共同製品開発に関する技術提携を行うことで ...

最先端パワー半導体の開発を行う京大発ベンチャーの株式会社FLOSFIA(本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下「FLOSFIA」)は、小型・薄型・低電力損失で金型レスの新型パワーモジュール（注)の開発を完了しました。 最先端パワー半導体の開発 ...

多種多様な電子機器に半導体を提供する世界的半導体メーカーのSTマイクロエレクトロニクス（NYSE：STM、以下ST）は、電気自動車（EV）の性能向上と航続距離の延長に貢献する高電力のSiC（炭化ケイ素）パワー･モジュール5製品を発表しました。これらの ...

2024年におけるIGBTパワーモジュールの世界市場規模は、7604百万米ドルと予測され、2025年から2031年の予測期間において、年間平均成長率（CAGR）13.6%で成長し、2031年までに18340百万米ドルに達すると予測されている。 市場セグメント分析 IGBTパワーモジュール ...

高速スイッチングに対応する小さなゲート抵抗で抑制可能な技術を開発 東芝デバイス＆ストレージ株式会社と株式会社東芝（以下、東芝グループ）は、SiC（炭化ケイ素） MOSFET注1を搭載したパワーモジュールにおいて、スイッチング動作時に並列接続間で ...

本調査におけるパワーモジュールとは、電力変換で使われるパワー半導体のIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）とダイオードを複数個実装し、専用ケースに封入したIGBT モジュールや、IGBT モジュールなどに過電流や過熱などの保護回路を内蔵したIPM（Intelligent ...

電力密度を大幅に向上可能な「樹脂絶縁型SiCパワー半導体モジュール」を開発 ～「小面積チップの分散配置設計」と「AIを活用した設計最適化」で、 熱抵抗を21％低減。電力変換器の小型化によりカーボンニュートラルの実現に貢献～ 概要 当社は、絶縁 ...

新チップ構造によりパワーモジュールへのSBD内蔵 SiC-MOSFET の適用を実現 特定チップにサージ電流が集中するメカニズムを世界で初めて解明し新チップ構造で回避 ＊図1は添付の関連資料を参照 三菱電機株式会社は、サンプル提供を5月31日に開始した鉄道車両 ...