次世代のディスプレイや太陽電池などの実現に向けては、同じ材料同士でのpn接合が望ましいことから、p型とn型の両方に制御可能な半導体材料が不可欠だ。しかし研究チームが過去に開発したその条件を満たす物質は、対称性の低い直方晶の結晶構造だった ...

国立大学法人東海国立大学機構名古屋大学未来材料・システム研究所須田 淳 教授、天野 浩 教授と旭化成株式会社の研究グループは、次世代半導体材料として期待される窒化アルミニウム(AlN)系材料において、理想的な特性を示すpn接合(注1)を作製すること ...

スマートフォンから自動車まで、私たちは毎日あちこちで「半導体」を使っており、半導体なくして現代の生活は成り立ちません。そもそも半導体とは何か、なぜ持続可能な社会に重要なのか。具体的な製品例から今後の展望まで、学術論文の査読も務める専門家と一緒に、半導 ...

半導体デバイスの中心的な役割を担うp型とn型半導体を接合したpn接合界面が発見されて以来約70年間、pn接合界面が直接観察されることはなかった。 Findings 福本氏が開発した半導体中の伝導電子が可視化できる装置を発展させることで、pn接合界面に形成 ...

Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。現時点ではp型伝導の ...

配信日時: 2023-03-15 18:45:21 量産のための新たなイリジウム系成膜材料を開発し、次世代パワー半導体による究極の半導体エコロジー(R)実現に向け大きく前進！ 株式会社FLOSFIA（本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下FLOSFIA）とJSR株式会社（本社 ...

Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。現時点ではp型伝導の ...

FLOSFIAは7月1日、酸化ガリウム(α-Ga 2 O 3)を用いた次世代パワー半導体として、p層(導電型p型半導体層)の改良を通じて、MOSFETでのノーマリーオフ特性を有する10A超の大電流動作(ドレイン電流14.3A、ゲート電圧15V時)を実現したことを発表した。 同社はこれまで ...

配信日時: 2025-07-19 12:10:02 Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。

量産のための新たなイリジウム系成膜材料を開発し、次世代パワー半導体による究極の半導体エコロジー(R)実現に向け大きく前進！ 株式会社FLOSFIA（本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実、以下FLOSFIA）とJSR株式会社（本社：東京都港区、代表取締 ...